Транзистор PNP ONSEMI DTA114YET1G, SMD, корпус SC75/SOT416, 50 В, 0,1 А (комплект 1500 шт.)
2 390 ₴
- В наявності
- Код: TM073394
Транзистор PNP ONSEMI DTA114YET1G, SMD, корпус SC75/SOT416, 50 В, 0,1 А (комплект 1500 шт.)В наявності
2 390 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI DTA114YET1G — це біполярний PNP-транзистор з вбудованими резисторами (BRT), призначений для поверхневого монтажу (SMD). Товар постачається у комплекті з 1500 одиниць.
- Тип транзистора: PNP, біполярний, BRT
- Напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,2 Вт
- Корпус: SC75 (SOT416), монтаж SMD
- Вбудовані резистори: база 10 кОм, емітер-база 47 кОм
- Кількість у комплекті: 1500 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,2 Вт. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) знаходиться в діапазоні 80...140.
Вбудовані резистори та корпус
Модель DTA114YET1G є транзистором типу BRT (Bias Resistor Transistor), що означає наявність вбудованих резисторів: базового резистора 10 кОм та резистора емітер-база 47 кОм. Корпус: SC75 (SOT416).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.2 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 1500 шт. |
| Корпус | SC75, SOT416 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 390 ₴