Діодний модуль IXYS DSEI2X61-12B, 1200 В, 52 А x2, SOT227B

Діодний модуль IXYS DSEI2X61-12B — це напівпровідниковий компонент у корпусі SOT227B з подвійною незалежною структурою. Модуль розрахований на максимальну постійну зворотну напругу 1200 В та струм прямого напрямку 52 А на кожну з двох діодних гілок.

• Максимальна постійна зворотна напруга: 1200 В
• Максимальна пряма напруга: 2,5 В
• Струм прямого напрямку: 52 А x2
• Корпус: SOT227B
• Структура: подвійна незалежна
• Тип монтажу: прикручуваний

Електричні параметри

Модуль має максимальну постійну зворотну напругу 1200 В. Максимальна пряма напруга становить 2,5 В. Струм прямого напрямку (If) дорівнює 52 А для кожної з двох незалежних частин модуля.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у вигляді діодного модуля з подвійною незалежною структурою напівпровідника. Корпус типу SOT227B. Монтаж електричний та механічний — прикручуваний.