Транзистор N-MOSFET Diodes DMTH10H005LCT, 100В, 140А, TO220AB (набір 10 шт.)

Набір із 10 потужних польових транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMTH10H005LCT. Компоненти розраховані на високий струм до 140 А та напругу 100 В, що відповідає параметрам силових електронних схем.

• Струм стоку 140 А та імпульсний струм 150 А
• Напруга стік-витік 100 В
• Потужність розсіювання 187 Вт
• Опір у відкритому стані 5 мОм
• Корпус TO220AB, монтаж THT
• Набір із 10 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистори витримують постійний струм стоку 140 А та імпульсний струм до 150 А. Потужність розсіювання становить 187 Вт, за умови належного охолодження.

Низький опір у відкритому стані

Опір каналу у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює всього 5 мОм. Це зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.

Зручний монтаж та корпус

Компоненти виконані у стандартному корпусі TO220AB з виводами для монтажу на плату (THT). Таке виконання забезпечує стандартний монтаж на плату.

Надійність керування

Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 114 нКл. Це відповідає параметрам керування для ключових схем.

Цей набір призначений для використання у потужних електронних пристроях. Транзистори є уніполярними з каналом збагачення, що визначає їхню поведінку у схемах керування.