Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP4051LK3-13, 30 шт., TO252

2 300 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073324
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP4051LK3-13, 30 шт., TO252
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP4051LK3-13, 30 шт., TO252В наявності
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP4051LK3-13 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).

  • Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга стік-витік: -40 В
  • Максимальний струм стоку: -8,4 А
  • Потужність розсіювання: 8,9 Вт
  • Опір у відкритому стані: 85 мОм
  • Корпус: TO252, монтаж SMD
  • Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік -40 В та струм стоку -8,4 А. Потужність розсіювання становить 8,9 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Опір у відкритому стані

Опір у відкритому стані дорівнює 85 мОм, що забезпечує ефективне проходження струму з мінімальними втратами. Цей параметр важливий для оцінки нагрівання транзистора під час роботи в відкритому стані.

Напруга затвор-витік

Напруга затвор-витік може змінюватися в межах ±20 В. Це визначає допустимий діапазон керуючих сигналів для відкривання та закривання транзистора.

Характеристики
Основні
ВиробникDiodes Incorporated
Максимальна потужність розсіювання8.9 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Опір у відкритому стані (Rds)85 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусTO252
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 300 ₴