Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3085LSD-13, комплект 40 шт., SO8

Комплект із 40 транзисторів P-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMP3085LSD-13. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8. Кожен компонент є подвійним P-канальним польовим транзистором з підвищеним каналом.

• Комплект із 40 транзисторів P-MOSFET
• Корпус SO8 для SMD-монтажу
• Напруга дренаж-джерело: -30 В
• Струм дренажу: -3,1 А (до -20 А в імпульсі)
• Розсіювана потужність: 1,1 Вт
• Опір у стані провідності: 70 мОм

Електричні параметри

Транзистори працюють при напрузі дренаж-джерело до -30 В. Максимальний струм дренажу становить -3,1 А, а в імпульсному режимі — до -20 А. Опір у стані провідності дорівнює 70 мОм.

Потужність та напруга керування

Розсіювана потужність кожного транзистора — 1,1 Вт. Напруга затвор-джерело може змінюватися в межах ±20 В.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані в корпусі SO8 для монтажу на поверхню (SMD). Транзистори є уніполярними (P-типу). Кожен компонент містить два транзистори в одному корпусі.