Транзистор P-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMP3056LSD-13, SO8, 20 шт.
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM035496
Транзистор P-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMP3056LSD-13, SO8, 20 шт.В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 20 транзисторів P-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMP3056LSD-13. Це подвійні польові транзистори з каналом збагачення в корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Подвійний P-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга стік-витік: -30 В
- Струм стоку: -5,1 А
- Опір у відкритому стані: 65 мОм
- Розсіювана потужність: 2,5 Вт
- Корпус SO8, монтаж SMD
- Упаковка: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають напругу стік-витік -30 В та струм стоку -5,1 А. Опір у відкритому стані становить 65 мОм. Максимальна розсіювана потужність — 2,5 Вт.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані в корпусі SO8. Тип монтажу — SMD (поверхневий).
Комплектація
Упаковка містить 20 транзисторів DMP3056LSD-13. Транзистори є уніполярними (P-канальними). Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴