Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3030SN-7, SMD SC59, -30В, 0,7А (40 шт.)

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3030SN-7 — це уніполярний компонент для електронних схем. Пакет містить 40 одиниць у корпусі SC59 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: -30 В
• Струм дрена: -0,7 А (сталий), -2,8 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 0,5 Вт
• Корпус: SC59, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор має канал збагачення та працює при напрузі дрена-джерела до -30 В. Сталий струм дрена становить -0,7 А, а імпульсний струм може досягати -2,8 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 0,5 Вт, що визначає теплові обмеження при роботі.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі SC59, що призначений для технології SMD (поверхневого монтажу). Таке виконання дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах без свердління отворів.

Напруга затвора та опір каналу

Допустима напруга затвор-джерело становить ±20 В. Опір каналу у відкритому стані дорівнює 0,45 Ом, що впливає на втрати енергії при протіканні струму.