Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3028LK3-13, 30 шт., корпус TO252

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3028LK3-13 у корпусі TO252 призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць, що забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту плат.

• Тип транзистора: P-MOSFET, канал збагачення
• Напруга стік-витік: -30 В
• Струм стіка: -22 А (постійний), -40 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 1,6 Вт
• Опір у стані провідності: 25 мОм
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу стік-витік -30 В та постійний струм стіка -22 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до -40 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах з короткочасними піковими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 1,6 Вт. Тип транзистора — P-MOSFET з каналом збагачення.

Опір та керування

Опір у стані провідності дорівнює 25 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, що є максимально допустимою напругою затвор-витік.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання забезпечує компактність вузла та зручність автоматизованого паяння на друкованих платах. Полярність транзистора — уніполярна, що спрощує підключення до схем керування.