Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMNH6008SCT, 60В, 90А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM073315
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Diodes Incorporated DMNH6008SCT у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу на плату з виводами (THT). Максимальна напруга дрен-джерело становить 60 В, а постійний струм дрену — 90 А.
- Напруга дрен-джерело: 60 В
- Струм дрену: 90 А (постійний), 200 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 100 Вт
- Опір у відкритому стані: 6 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектація: 10 шт.
Тип та канал керування
Транзистор є уніполярним із каналом збагачення типу N. Номінальна напруга дрен-джерело (Vds) дорівнює 60 В, що визначає робочий діапазон напруг. Струм дрену (Id) у постійному режимі сягає 90 А, а в імпульсному режимі (Idm) може досягати 200 А. Напруга затвор-джерело (Vgs) обмежена ±20 В.
Електричні параметри
Максимальна розсіювана потужність (Pd) становить 100 Вт, що потребує ефективного відведення тепла через корпус або радіатор. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 6 мОм, що мінімізує втрати енергії при протіканні струму. Загальний заряд затвора (Qg) — 21 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
Корпус та монтаж та комплектація
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 90 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
- Ціна: 2 270 ₴