Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMNH45M7SCT, 40В, 155А, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMNH45M7SCT — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220AB.## Комплектація

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-джерело: 40 В
• Постійний струм стоку: 155 А, імпульсний: 200 А
• Розсіювана потужність: 96 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 40 В та постійний струм стоку 155 А. Імпульсний струм стоку може досягати 200 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах з високими піковими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 96 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB, що забезпечує зручність кріплення до радіатора для відведення тепла. Тип монтажу — вивідний (THT), що підходить для ручного та автоматизованого паяння на друковані плати з отворами.

Керування та параметри затвора

Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає допустимий діапазон керуючих сигналів. Сумарний заряд затвора дорівнює 36,1 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Опір у стані провідності вказано як 3,4 Ом, що характеризує втрати при протіканні струму через відкритий канал.