
Транзистор N-MOSFET Diodes DMN6070SSD-13, 60В, 3,6А, SO8 (набір 30 шт.)
2 710 ₴
- В наявності
- Код: TM018397
Транзистор N-MOSFET Diodes DMN6070SSD-13 — це подвійний польовий транзистор у корпусі SO8, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць, що забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту електронних плат.
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 3,6 А
- Корпус: SO8 (SMD монтаж)
- Опір у відкритому стані: 0,1 Ом
- Розсіювана потужність: 1,2 Вт
- Кількість у наборі: 30 шт.
Потужність та опір
Опір у відкритому стані становить 0,1 Ом, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 1,2 Вт, що визначає тепловий режим пристрою. Низький опір каналу дозволяє ефективно передавати струм без значних втрат на нагрівання.
Комплектація
Компонент виготовлений у корпусі SO8, що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Таке рішення дозволяє зменшити габарити друкованих плат та забезпечити автоматизацію процесу пайки.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SO8, що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Таке рішення дозволяє зменшити габарити друкованих плат та забезпечити автоматизацію процесу пайки. Корпус SO8 забезпечує компактне розміщення двох транзисторів в одному пакеті.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
- Ціна: 2 710 ₴
