Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6068SE-13, 60В, 4,5А, SOT223 (30 шт.)
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM073312
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6068SE-13, 60В, 4,5А, SOT223 (30 шт.)В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6068SE-13 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стіка: 4,5 А
- Розсіювана потужність: 2 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплектація: 30 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стіка 4,5 А. Допустима напруга затвор-витік становить ±20 В, що визначає діапазон керуючих сигналів.
Низький опір у відкритому стані
Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 0,1 Ом. Цей параметр впливає на ефективність роботи транзистора в ланцюзі та тепловий режим при протіканні струму.
Теплові характеристики та потужність
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴