Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN4036LK3-13, 40В, 9,4А, TO252 (30 шт.)

2 610 ₴

  • В наявності
  • Код: TM018395
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN4036LK3-13, 40В, 9,4А, TO252 (30 шт.)
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN4036LK3-13, 40В, 9,4А, TO252 (30 шт.)В наявності
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN4036LK3-13 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, що використовується у електронних пристроях. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі TO252, що забезпечує зручність для масового монтажу та прототипування.

  • Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
  • Максимальна напруга стік-витік: 40 В
  • Струм стіка: 9,4 А
  • Розсіювана потужність: 4,12 Вт
  • Корпус: TO252 (SMD монтаж)
  • Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 40 В та витримує струм стіка 9,4 А. Максимальна розсіювана потужність становить 4,12 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 61 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у поверхневому корпусі TO252 (DPAK). Монтаж здійснюється технологією SMD.

Комплектація

Увага: товар продається комплектом із 30 транзисторів. Напруга затвор-витік становить ±20 В.

Характеристики
Основні
ВиробникDiodes Incorporated
Максимальна потужність розсіювання4.12 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік40 В
Максимально допустимий струм стоку9.4 А
Опір у відкритому стані (Rds)61 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусTO252
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 610 ₴