
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3730U-7, 30В, 0,75А, SOT23 (набір 60 шт.)
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM073311
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 60 транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMN3730U-7. Компоненти у корпусі SOT23 призначені для поверхневого монтажу (SMD) та мають захист від електростатичного розряду (ESD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга дрена-джерела: 30 В
- Постійний струм дрена: 0,75 А (імпульсний до 10 А)
- Корпус SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
- Наявність захисту від ESD
- Кількість у наборі: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 30 В та постійним струмом дрена 0,75 А. У імпульсному режимі струм може досягати 10 А. Опір у стані провідності становить 0,46 Ом. Максимальна розсіювана потужність — 0,45 Вт.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі SOT23. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Версія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду.
Комплектація
У пакуванні міститься 60 одиниць транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.75 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 460 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴
