
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7, 30V, 2.2A, SOT23-3 (набір 40 шт.)
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM073309
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для електронних схем. Комплект складається з 40 одиниць у корпусі SOT23-3 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 30 В
- Струм стіка: 2,2 А (постійний), 9 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 0,65 Вт
- Корпус: SOT23-3, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 30 В та постійним струмом стіка 2,2 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 9 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,65 Вт, а опір у відкритому стані — 0,2 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SOT23-3. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж). Напруга затвор-витік обмежена ±8 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.65 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴
