Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7, 30V, 2.2A, SOT23-3 (набір 40 шт.)

2 230 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073309
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7, 30V, 2.2A, SOT23-3 (набір 40 шт.)
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7, 30V, 2.2A, SOT23-3 (набір 40 шт.)В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для електронних схем. Комплект складається з 40 одиниць у корпусі SOT23-3 для поверхневого монтажу (SMD).

  • Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Напруга стік-витік: 30 В
  • Струм стіка: 2,2 А (постійний), 9 А (імпульсний)
  • Розсіювана потужність: 0,65 Вт
  • Корпус: SOT23-3, монтаж SMD
  • Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 30 В та постійним струмом стіка 2,2 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 9 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,65 Вт, а опір у відкритому стані — 0,2 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SOT23-3. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж). Напруга затвор-витік обмежена ±8 В.

Характеристики
Основні
ВиробникDiodes Incorporated
Максимальна потужність розсіювання0.65 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік8 В
Максимально допустима напруга стік-витік30 В
Максимально допустимий струм стоку2.2 А
Опір у відкритому стані (Rds)200 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті40 шт.
КорпусSOT23-3
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 230 ₴