Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3033LSN-7, 30V, 5A, SC59 (набір 30 шт.)
2 130 ₴
- В наявності
- Код: TM073308
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3033LSN-7, 30V, 5A, SC59 (набір 30 шт.)В наявності
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 30 транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMN3033LSN-7. Компоненти у корпусі SC59 призначені для поверхневого монтажу (SMD) та розраховані на напругу 30 В і струм 5 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга витоку-джерела: 30 В
- Струм витоку: 5 А
- Потужність розсіювання: 1,4 Вт
- Корпус: SC59, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 30 шт.
Основні електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 30 В, а максимальний струм витоку — 5 А. Опір у відкритому стані дорівнює 40 мОм.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі SC59 для технології поверхневого монтажу (SMD). У пакеті постачається 30 однакових транзисторів.
Напруга на затворі та потужність розсіювання
Максимальна напруга на затворі становить ±20 В. Потужність розсіювання компонента дорівнює 1,4 Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SC59 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 130 ₴