Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3032LE-13, 30V, 4.1A, SOT223 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3032LE-13 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 30 В та постійний струм 4,1 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга «дрен-джерело»: 30 В
• Постійний струм «дрену»: 4,1 А
• Імпульсний струм «дрену»: 25 А
• Розсіювана потужність: 1,8 Вт
• Опір у відкритому стані: 29 мОм
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює при напрузі «дрен-джерело» до 30 В та витримує імпульсний струм до 25 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,8 Вт, а опір у відкритому стані — 29 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SOT223. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).

Комплектація

Товар постачається набором із 30 транзисторів. Максимальна напруга «затвор-джерело» становить ±20 В.