Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3024SFG-13, 30В, 8,5А, комплект 60 шт.
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM073306
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3024SFG-13, 30В, 8,5А, комплект 60 шт.В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 60 транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMN3024SFG-13. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі PowerDI3333-8. Основні параметри: напруга 30 В, струм 8,5 А, потужність розсіювання 1,4 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, з багатим каналом
- Напруга стік-виток: 30 В
- Струм стоку: 8,5 А (імпульсний до 60 А)
- Опір у провідному стані: 33 мОм
- Потужність розсіювання: 1,4 Вт
- Корпус: PowerDI3333-8, монтаж SMD
- Комплект: 60 штук
Тип та канал
Компонент є уніполярним N-MOSFET з багатим (enhancement) каналом. Така структура забезпечує керування струмом за допомогою напруги на затворі без постійного струму керування.
Напруга та струм
Максимальна напруга між стоком та витоком становить 30 В, а допустима напруга на затворі — ±25 В. Номінальний струм стоку дорівнює 8,5 А, що визначає робочий режим пристрою.
Імпульсний струм та опір
У імпульсному режимі транзистор витримує піковий струм до 60 А. Опір у провідному стані (Rds(on)) становить 33 мОм, що зменшує втрати енергії при проходженні струму.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 33 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | PowerDI3333-8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴