Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3024LSD-13, 30В, 5.8А, SO8 (набір 20 шт.)
2 100 ₴
- В наявності
- Код: TM073305
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3024LSD-13, 30В, 5.8А, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3024LSD-13 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель має максимальну напругу сток-витік 30 В та струм стоку до 5.8 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга сток-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 5.8 А
- Потужність розсіювання: 1.3 Вт
- Корпус: SO8 для поверхневого монтажу (SMD)
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 1.3 Вт, що визначає тепловий режим роботи пристрою. Максимально допустима напруга сток-витік становить 30 В, а максимальний струм стоку — 5.8 А. Ці характеристики визначають межі безпечної експлуатації компонента в електричних колах.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SO8, що є стандартним для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Товар постачається набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴