Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3024LK3-13, 30V, 9.78A, TO252 (30 шт.)
2 530 ₴
- В наявності
- Код: TM018394
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3024LK3-13, 30V, 9.78A, TO252 (30 шт.)В наявності
2 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3024LK3-13 — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі TO252.
- Напруга дрена-джерела: 30 В
- Постійний струм дрена: 9,78 А
- Імпульсний струм дрена: 46,5 А
- Розсіювана потужність: 2,17 Вт
- Опір у відкритому стані: 39 мОм
- Корпус: TO252 (SMD)
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 30 В та постійним струмом дрена 9,78 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 46,5 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2,17 Вт, а опір у відкритому стані — 39 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у поверхневому корпусі TO252. Монтаж здійснюється технологією SMD.
Керування та заряд
Напруга керування на затворі може змінюватися в межах ±20 В. Загальний заряд затвора становить 12,9 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.17 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.78 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 39 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 530 ₴