Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3016LSS-13, 30 В, 9,5 А, SO8 (набір 30 шт.)
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM073303
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3016LSS-13, 30 В, 9,5 А, SO8 (набір 30 шт.)В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 30 транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMN3016LSS-13. Компоненти у корпусі SO8 призначені для поверхневого монтажу (SMD) та мають максимальну потужність розсіювання 2 Вт.
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 9,5 А
- Імпульсний струм стоку: 80 А
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та постійний струм стоку 9,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм може досягати 80 А.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі SO8 із типом монтажу SMD.
Комплект поставки
У наборі постачається 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 460 ₴