Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3009SK3-13, 30В, 16А, TO252 (30 шт.)
2 610 ₴
- В наявності
- Код: TM018393
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3009SK3-13 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струму до 16 А при напрузі 30 В. Пакет із 30 штук забезпечує необхідну кількість елементів для серійного монтажу або ремонту обладнання.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Постійний струм стоку: 16 А
- Імпульсний струм стоку: 100 А
- Корпус: TO252 (SMD монтаж)
- Опір у відкритому стані: 9 мОм
- Розсіювана потужність: 3,4 Вт
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Компактний корпус для поверхневого монтажу
Компонент виконаний у корпусі TO252, що дозволяє використовувати технологію SMD для щільного розміщення на друкованих платах. Такий формат економить місце на платі та спрощує автоматизований монтаж у виробничих умовах.
Ефективна комутація струму
Транзистор працює з постійним струмом стоку 16 А. У імпульсному режимі пристрій витримує піковий струм до 100 А.
Низькі втрати та надійність
Опір у відкритому стані становить 9 мОм. Максимальна розсіювана потужність становить 3,4 Вт. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Заряд затвора дорівнює 42 нКл.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
- Ціна: 2 610 ₴