Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN24H11DS-7, SOT23, 240В, 220мА (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN24H11DS-7 — це уніполярний польовий транзистор з корпусом SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: 240 В
• Струм дрена: 220 мА (0,22 А)
• Імпульсний струм дрена: 0,8 А
• Розсіювана потужність: 1,2 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела 240 В та постійний струм дрена 220 мА. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 0,8 А, а розсіювана потужність становить 1,2 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, призначеному для технології поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а опір у відкритому стані — 12 Ом. Заряд затвора дорівнює 3,7 нКл. Канал транзистора — збагачуваний.