Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B, 20V, 0.96A, X1-DFN1006-3 (60 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM073300
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B, 20V, 0.96A, X1-DFN1006-3 (60 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхні плати (SMD).Транзистор Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B поставляється комплектом із 60 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 20 В
- Струм дрена: 0,96 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Опір у стані провідності: 0,5 Ом
- Корпус: X1-DFN1006-3, монтаж SMD
- Захист: версія ESD
- Комплектація: 60 штук
Електричні параметри та потужність
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 20 В та витримує струм дрена 0,96 А. Максимальна напруга між затвором і джерелом обмежена ±8 В.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 0,5 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 0,5 Ом.
Компонент виконаний у корпусі X1-DFN1006-3 з монтажем SMD. Транзистор має версію ESD (захист від електростатичного розряду).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.96 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | X1-DFN1006-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴