Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2020LSN-7, 20V, 4.5A, SC59 (набір 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2020LSN-7 — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Пакет містить 40 одиниць у корпусі SC59 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 20 В
• Струм стіка: 4,5 А (постійний), 30 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 0,61 Вт
• Опір у відкритому стані: 20 мОм
• Корпус: SC59 (SMD), версія ESD
• Кількість у наборі: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу стік-витік 20 В та постійний струм стіка 4,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 30 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,61 Вт, а опір у відкритому стані — 20 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SC59 для поверхневого монтажу (SMD). Компонент має версію ESD.

Напруга затвора та опір каналу

Максимальна напруга затвор-витік становить ±12 В. Опір у стані провідності дорівнює 20 мОм. Ці параметри визначають умови керування транзистором та його електричні характеристики у відкритому стані.