
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005K-7, SOT23, 20V, 0,3A (набір 40 шт.)
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM073293
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005K-7 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається набором із 40 штук у корпусі SOT23.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Постійний струм стоку: 0,3 А (імпульсний: 0,6 А)
- Корпус SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
- Набір із 40 транзисторів
- Розсіювана потужність: 0,35 Вт
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 20 В та постійним струмом стоку 0,3 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 0,6 А, а максимальна розсіювана потужність становить 0,35 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 3,5 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23. Тип монтажу SMD (поверхневий). Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
Транзистор DMN2005K-7 — N-канальний MOSFET у корпусі SOT23.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴
