Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN10H220LK3-13, 100В, 4,7А, TO252 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN10H220LK3-13 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 4,7 А при напрузі 100 В. Пакет містить 30 одиниць у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга стік-витік: 100 В
• Струм стоку: 4,7 А (імпульсний до 30 А)
• Опір у відкритому стані: 0,25 Ом
• Корпус: TO252 (SMD монтаж)
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 100 В та постійним струмом стоку 4,7 А. Імпульсний струм може досягати 30 А. Опір у відкритому стані становить 0,25 Ом. Максимальна розсіювана потужність — 7,5 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.

Комплектація

У пакеті постачається 30 транзисторів Diodes Incorporated DMN10H220LK3-13.