Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMN1025UFDB-7, 12В, 5,5А, корпус U-DFN2020-6 (100 шт.)
1 980 ₴
- В наявності
- Код: TM073291
Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMN1025UFDB-7, 12В, 5,5А, корпус U-DFN2020-6 (100 шт.)В наявності
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMN1025UFDB-7 — це уніполярний компонент із двома каналами в одному корпусі U-DFN2020-6. Комплект складається зі 100 штук, призначений для монтажу технологією SMD.
- Тип: N-MOSFET x2 (два транзистори в одному корпусі)
- Напруга дрена-джерела: 12 В
- Струм дрена: 5,5 А (у імпульсі до 35 А)
- Корпус: U-DFN2020-6, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 1,7 Вт
- Опір у стані провідності: 38 мОм
- Кількість у комплекті: 100 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 12 В та номінальний струм дрена 5,5 А. У імпульсному режимі струм дрена може досягати 35 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,7 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі U-DFN2020-6. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD). Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 12 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 38 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | U-DFN2020-6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 980 ₴