Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN1004UFV-7, 12В, 55А, 0.9Вт, PowerDI3333-8 (набір 20 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM073290
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN1004UFV-7, 12В, 55А, 0.9Вт, PowerDI3333-8 (набір 20 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN1004UFV-7 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в компактному корпусі PowerDI®3333-8 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється набором із 20 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 12 В
- Максимальний струм стоку: 55 А
- Потужність розсіювання: 0.9 Вт
- Корпус: PowerDI®3333-8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри та корпус
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 12 В та струм стоку до 55 А. Максимальна потужність розсіювання становить 0.9 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Компонент виготовлений у корпусі PowerDI®3333-8. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
Версія та комплектація
Товар постачається у вигляді набору, що містить 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.9 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 12 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 55 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerDI®3333-8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴