Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMG4511SK4-13, комплементарна пара, 35 В, 20 шт.

Комплементарна пара транзисторів N/P-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMG4511SK4-13. Комплект складається з 20 елементів у корпусі TO252-4 для поверхневого монтажу (SMD). Транзистори мають напругу стік-витік 35/-35 В та струм 7,8/-8,6 А.

• Комплементарна пара N/P-MOSFET у одному корпусі
• Напруга стік-витік: 35/-35 В
• Струм стоку: 7,8/-8,6 А
• Опір у відкритому стані: 0,035/0,045 Ом
• Корпус TO252-4 для SMD монтажу
• Комплект: 20 транзисторів

Комплементарна структура

Транзистор є комплементарною парою N-канального та P-канального MOSFET зі спільним стоком. Структура з спільним стоком об'єднує два транзистори в одному корпусі.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 35 В для N-каналу та -35 В для P-каналу. Струм стоку дорівнює 7,8 А та -8,6 А відповідно. Опір у відкритому стані — 0,035 Ом та 0,045 Ом.

Монтаж та корпус

Елементи виконані у корпусі TO252-4 (DPAK) для поверхневого монтажу (SMD). Корпус TO252-4 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Потужність розсіювання становить 1,54 Вт. Напруга затвор-витік — ±20 В. Канал збагачуваний, що вимагає відкриття напругою вище порогу.