Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG4496SSS-13, 30V, 6A, SO8 (набір 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG4496SSS-13 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу 30 В та постійний струм 6 А, що робить її придатною для комутаційних задач у пристроях із живленням до 30 В.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга «дрен-джерело»: 30 В
• Постійний струм дрену: 6 А (імпульсний до 60 А)
• Опір у стані провідності: 29 мОм
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Набір: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу «дрен-джерело» 30 В та постійний струм дрену 6 А. У імпульсному режимі струм може досягати 60 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Напруга «затвор-джерело» становить ±25 В, а опір у стані провідності — 29 мОм.

Заряд затвора та потужність

Заряд затвора становить 10,2 нКл. Потужність розсіювання становить 1,42 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Транзистор виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).