Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMG2307L-7, SOT23, -30В, -2А (50 шт.)

Транзистор P-MOSFET від Diodes Incorporated у корпусі SOT23. Комплект складається з 50 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальна напруга стік-виток: -30 В
• Максимальний струм стоку: -2 А
• Потужність розсіювання: 0,76 Вт
• Опір у стані провідності: 0,134 Ом
• Кількість у комплекті: 50 шт.

Тип та канал керування

Пристрій є уніполярним P-канальним MOSFET з індукованим каналом. Максимальна напруга між стоком та витоком становить -30 В, а максимальний струм стоку — -2 А. Потужність розсіювання дорівнює 0,76 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Корпус SOT23 та монтаж SMD

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23, що забезпечує компактність вузла. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що дозволяє автоматизувати процес збірки плати та економити місце на друкованій платі.

Тип та канал керування

Опір у стані провідності становить 0,134 Ом. Напруга між затвором та витоком може досягати ±20 В.