Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7, 20В, 0.75А, SOT323 (60 шт.)
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM073279
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7, 20В, 0.75А, SOT323 (60 шт.)В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Комплект складається з 60 одиниць у корпусі SOT323 для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Максимальний струм стоку: 0.75 А
- Потужність розсіювання: 0.61 Вт
- Корпус: SOT323
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 20 В, а максимально допустимий струм стоку — 0.75 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 0.61 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT323 із типом монтажу SMD.
Комплектація
У наборі постачається 60 шт. транзисторів. Символ виробника: DMG1012UWQ-7. Імпульсний струм стоку становить 6 А, а заряд затвора — 1 нКл. Опір у відкритому стані дорівнює 0,75 Ом. Максимальна напруга затвор-витік — ±6 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.61 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 6 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.75 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT323 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴