Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMC6040SSD-13, комплементарна пара, SO8, 30 шт.

1 910 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073278
Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMC6040SSD-13, комплементарна пара, SO8, 30 шт.
Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMC6040SSD-13, комплементарна пара, SO8, 30 шт.В наявності
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Комплект із 30 транзисторів Diodes Incorporated DMC6040SSD-13 — це комплементарна пара N/P-MOSFET у корпусі SO8 для монтажу на поверхню (SMD). Транзистори мають напругу стік-витік 60/-60 В та струм 5,1/-3,9 А.

  • Комплект із 30 транзисторів
  • Комплементарна пара N/P-MOSFET
  • Напруга стік-витік 60/-60 В
  • Струм стіка 5,1/-3,9 А
  • Корпус SO8 для SMD-монтажу
  • Розсіювана потужність 1,56 Вт

Комплементарна пара N/P-MOSFET

Транзистор є уніполярним комплементарним N/P-MOSFET із збагачувальним каналом. Номінальна напруга стік-витік становить 60 В для N-каналу та -60 В для P-каналу.

Електричні параметри

Струм стіка дорівнює 5,1 А для N-каналу та -3,9 А для P-каналу. Опір у провідному стані (Rds(on)) становить 0,04 Ом для N-каналу та 0,11 Ом для P-каналу. Максимальна розсіювана потужність — 1,56 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD).

Характеристики
Основні
ВиробникDiodes Incorporated
Максимальна потужність розсіювання1.56 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораБіполярний
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусSO8
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 910 ₴