Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated DMC3032LSD-13, комплементарна пара, SO8, 30 шт.

Комплект із 30 комплементарних транзисторів Diodes Incorporated DMC3032LSD-13 у корпусі SO8. Це уніполярні N/P-MOSFET з напругою стік-витік 30/-30 В та струмом 7/-8,1 А, призначені для SMD-монтажу.

• Комплект із 30 комплементарних транзисторів N/P-MOSFET
• Напруга стік-витік: 30 В (N) / -30 В (P)
• Струм стіка: 7 А (N) / -8,1 А (P)
• Опір у відкритому стані: 0,032 Ом (N) / 0,039 Ом (P)
• Корпус SO8 для SMD-монтажу
• Розсіювана потужність 2,5 Вт

Комплементарна пара N/P-MOSFET

Транзистор є комплементарною парою, що поєднує N-канальний та P-канальний MOSFET в одному корпусі. Обидва транзистори є уніполярними з каналом збагачення (enhancement mode).

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 30 В для N-каналу та -30 В для P-каналу. Струм стіка дорівнює 7 А для N-каналу та -8,1 А для P-каналу. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) складає 0,032 Ом для N-каналу та 0,039 Ом для P-каналу. Розсіювана потужність — 2,5 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SO8 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект містить 30 транзисторів. Тип транзистора визначений як N/P-MOSFET, що вказує на наявність у корпусі двох структур різної полярності. Полярність компонентів є уніполярною, а тип каналу — збагачуваний. Це відповідає стандартним параметрам для даного типу активних компонентів.