Транзистор N/P-MOSFET DMC3021LSD-13, комплементарна пара, SO8, 30 шт.

Комплект із 30 комплементарних транзисторів DMC3021LSD-13 від Diodes Incorporated. Це N/P-MOSFET пари в корпусі SO8 для SMD-монтажу, що забезпечують зручне рішення для схем із симетричним керуванням.

• Комплект із 30 комплементарних транзисторів
• Тип: N/P-MOSFET, збагачений канал
• Корпус SO8 для SMD-монтажу
• Напруга стік-витік: 30/-30 В
• Струм стіка: 7 А / -8,5 А
• Опір у відкритому стані: 0,021 Ом / 0,039 Ом

Комплементарна пара для симетричних схем

Транзистори утворюють комплементарну пару N-канального та P-канального MOSFET. Це дозволяє створювати симетричні вихідні каскади та драйвери без підбору окремих компонентів. Таке рішення спрощує розробку схем із push-pull конфігурацією.

Компактний корпус SO8 для SMD-монтажу

Компоненти виконані в корпусі SO8, що підходить для поверхневого монтажу (SMD). Це забезпечує компактність плати та сумісність із автоматизованими лініями виробництва. Корпус SO8 є стандартним для багатьох промислових застосувань.

Електричні параметри для низьковольтних застосувань

Максимальна напруга стік-витік становить 30 В для N-каналу та -30 В для P-каналу. Струм стіка досягає 7 А та -8,5 А відповідно. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 0,021 Ом та 0,039 Ом, що мінімізує втрати потужності при комутації.

Потужність розсіювання та керування затвором

Максимальна потужність розсіювання становить 2,5 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Напруга затвор-витік допускає значення ±20 В, що забезпечує гнучкість у виборі драйверів керування. Ці параметри важливі для стабільної роботи схеми під навантаженням.