Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW170SIC049, 1700 В, 47 А, TO247-3

Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW170SIC049 — це напівпровідниковий прилад, виготовлений за технологією карбіду кремнію (SiC). Він призначений для роботи в електричних колах із напругою 1,7 кВ та струмом навантаження 47 А.

• Напруга стік-виток: 1700 В
• Струм стоку: 47 А (імпульсний 150 А)
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Опір у відкритому стані: 81 мОм
• Потужність розсіювання: 357 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT

Прилад витримує напругу між витоком та стоком до 1700 В,. Номінальний струм стоку становить 47 А, а імпульсний струм може досягати 150 А.

Технологія SiC та ефективність

Використання технології SiC (карбід кремнію) дозволяє отримати низький опір у відкритому стані — 81 мОм. Потужність розсіювання становить 357 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла.

Корпус та монтаж

Транзистор виконаний у стандартному корпусі TO247-3,. Монтаж здійснюється виводами в отвори (THT),. Полярність приладу — уніполярна, канал збагачуваний.