Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW065SIC049, 650V, 48A, TO247-3 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW065SIC049 — це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC). Комплект складається з 2 штук, призначених для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO247-3.

• Технологія SiC для високої ефективності
• Напруга дрена-джерела 650 В
• Постійний струм дрена 48 А
• Імпульсний струм до 135 А
• Розсіювана потужність 550 Вт
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Комплект із 2 штук

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 48 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних схемах живлення та інверторах, де потрібна стабільна робота під значним навантаженням.

Ефективність технології SiC

Використання технології SiC забезпечує низький опір у стані провідності 50 мОм. Такий показник зменшує втрати енергії та нагрівання компонента, що підвищує загальний ККД пристрою.

Імпульсні характеристики

Прилад витримує імпульсний струм дрена до 135 А та має розсіювану потужність 550 Вт. Це важливо для схем із різкими пусковими струмами або короткочасними піковими навантаженнями.

Зручність монтажу

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO247-3 з типом монтажу THT (through-hole technology). Це спрощує процес встановлення на друковані плати та забезпечує надійний механічний контакт.

Транзистор DIOTEC DIW065SIC049 підходить для інженерів та техніків, які створюють або ремонтують високовольтні електронні пристрої, що вимагають ефективних силових ключів.## Уніполярна структура та канал типу N-канальний MOSFET з уніполярною структурою та каналом, що збагачується, забезпечує просте керування та стабільну роботу. Це спрощує розробку схем живлення, де важлива надійність перемикання без додаткових складних драйверів.