Транзистор IGBT DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW040M120, 1,2 кВ, 40 А, TO247-3 (DIW040M120-DIO) — набір 5 шт.

IGBT-транзистор DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW040M120 у корпусі TO247-3 призначений для потужних силових електронних схем. Комплект складається з 5 одиниць, що забезпечує зручність для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Напруга колектор-емітер: 1,2 кВ
• Номінальний струм колектора: 40 А
• Потужність розсіювання: 330 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Імпульсний струм: до 160 А
• Комплектація: 5 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 1,2 кВ та номінальним струмом колектора 40 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних інверторах та джерелах живлення. Імпульсний струм може досягати 160 А, що важливо для пускових режимів обладнання.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання становить 330 Вт, що вимагає якісного охолодження. Корпус TO247-3 та монтаж THT (скрізь отвори) забезпечують надійний контакт із радіатором. Така конструкція підходить для стаціонарних промислових пристроїв.

Швидка комутація

Час замикання транзистора становить 69 нс, а час вимикання — 337 нс. Заряд затвора дорівнює 330 нКл, що визначає вимоги до драйвера керування. Максимальна напруга затвор-емітер становить ±20 В. Наявність інтегрованого антипаралельного діода спрощує топологію плати.

Швидка комутація та керування затвором

Комплект складається з 5 транзисторів, що оптимізує процес закупівлі для майстерень. Символ виробника DIW040M120 та ідентифікатор TME DIW040M120-DIO гарантують відповідність специфікаціям. Компонент підходить для інженерів, які цінують точність параметрів.