Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW018N65, 650В, 11А, TO247-3, набір 5 шт.

Набір із 5 транзисторів N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW018N65 у корпусі TO247-3. Компоненти призначені для силових електронних схем із напругою до 650 В та струмом 11 А.

• Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
• Напруга дрена-джерела: 650 В
• Струм дрена: 11 А (імпульсний до 60 А)
• Потужність розсіювання: 155 Вт
• Опір у провідному стані: 0,18 Ω
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Кількість у наборі: 5 шт.

Електричні параметри та струм

Транзистори витримують напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 11 А. Імпульсний струм може досягати 60 А, що забезпечує надійність при короткочасних перевантаженнях. Такі параметри роблять компонент універсальним для силових застосувань.

Керування та заряд затвора

Максимальна розсіювана потужність становить 155 Вт, що дозволяє відводити тепло від кристала. Опір у провідному стані 0,18 Ω мінімізує втрати потужності на нагрівання. Це підвищує загальний ККД пристрою та знижує вимоги до системи охолодження.

Заряд затвора та керування

Заряд затвора становить 38 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Максимальна напруга затвор-джерело ±30 В визначає допустимі режими керування. Однополярна структура та канал збагачення забезпечують стабільну роботу в ключових режимах.