Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC022, 1200 В, 85 А, TO247-4
2 520 ₴
- В наявності
- Код: TM035483
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC022, 1200 В, 85 А, TO247-4В наявності
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC022 виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію) у корпусі TO247-4. Прилад розрахований на напругу 1,2 кВ та постійний струм 85 А.
- Технологія SiC (карбід кремнію)
- Напруга дрена-джерела: 1200 В
- Постійний струм дрена: 85 А
- Імпульсний струм: 250 А
- Розсіювана потужність: 340 Вт
- Опір у стані провідності: 28 мОм
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 1,2 кВ та витримує постійний струм дрена 85 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 250 А.
Технологія SiC та опір
Використання карбіду кремнію (SiC) визначає технологію виготовлення компонента. Опір у стані провідності становить 28 мОм.
Потужність та конструкція
Максимальна розсіювана потужність дорівнює 340 Вт. Компонент призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO247-4, який має виведення Кельвіна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 340 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 85 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 28 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | TO247-4 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 520 ₴