Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI1A5N60D1, 600В, 0,97А, DPAK (DI1A5N60D1-DIO) — набір 50 шт.
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM073224
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI1A5N60D1, 600В, 0,97А, DPAK (DI1A5N60D1-DIO) — набір 50 шт.В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI1A5N60D1 — це напівпровідниковий компонент. Модель має напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 0,97 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 0,97 А
- Імпульсний струм дрена: 6 А
- Потужність розсіювання: 25 Вт
- Корпус: DPAK (TO252AA)
- Монтаж: SMD
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Напруга та струм
Напруга дрена-джерела становить 600 В. Струм дрена дорівнює 0,97 А, а імпульсний струм дрена — 6 А. Потужність розсіювання становить 25 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Товар поставляється набором із 50 транзисторів. Напруга затвор-джерела становить ±30 В. Заряд затвора дорівнює 7,9 нКл. Опір у стані провідності становить 8 Ом. Канал збагачуваний, полярність уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.97 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252AA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴