
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI114N06PQ, 65В, 72,5А, QFN5x6, комплект 20 шт.
2 890 ₴
- В наявності
- Код: TM018376
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI114N06PQ — це уніполярний компонент із збагачуваним каналом, призначений для комутації струму до 72,5 А при напрузі 65 В. Комплект із 20 штук забезпечує необхідну кількість елементів для серійного монтажу або складання пристроїв.
- Струм стоку 72,5 А та імпульсний струм 480 А
- Низький опір у відкритому стані 2,5 мОм
- Потужність розсіювання 63,8 Вт
- Корпус QFN5x6 для SMD-монтажу
- Комплект із 20 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор витримує постійний струм стоку 72,5 А та імпульсний струм до 480 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високими піковими навантаженнями.
Ефективне розсіювання тепла
Потужність розсіювання становить 63,8 Вт, що вимагає якісного відведення тепла від корпусу. Низький опір у відкритому стані 2,5 мОм мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.
Компактний SMD-монтаж
Компонент виконаний у корпусі QFN5x6 із технологією поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє економити місце на друкованій платі та спрощує автоматизований монтаж, що є критичним для компактних електронних пристроїв.
Зручна комплектація для виробництва
Упаковка містить 20 транзисторів. Стандартний корпус QFN5x6 та параметри N-MOSFET підходять для різних схем комутації. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвору — 78,5 нКл, що визначає вимоги до керуючого сигналу.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 63.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 65 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 72.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | QFN5x6 |
- Ціна: 2 890 ₴
