
Транзистор P-MOSFET DIOTEC DI077P06D1, -60В, -45А, DPAK — набір 20 шт.
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM035477
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET DIOTEC DI077P06D1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель має напругу дрен-джерело -60 В та постійний струм дрену -45 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрен-джерело: -60 В
- Струм дрену: -45 А (імпульсний до -328 А)
- Розсіювана потужність: 110 Вт
- Опір у відкритому стані: 17 мОм
- Корпус: DPAK (TO252AA), монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну розсіювану потужність 110 Вт та опір у відкритому стані 17 мОм. Імпульсний струм дрену може досягати -328 А, а напруга затвор-джерело становить ±20 В. Загальний заряд затвора дорівнює 62,1 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Товар поставляється набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252AA |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-висток | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 17 mOm |
| Тип монтажа | Поверхневий |
| Тип транзизора | Польова |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴
