
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI072N06PT, 65В, 46А, QFN3X3 — набір 40 шт.
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM035476
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI072N06PT — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на струм 46 А та напругу 65 В. Компонент виконаний у компактному корпусі QFN3X3 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 65 В
- Постійний струм дрена: 46 А
- Імпульсний струм дрена: 280 А
- Потужність розсіювання: 43 Вт
- Опір у відкритому стані: 7 мОм
- Корпус: QFN3X3, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри та потужність
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 65 В та постійний струм дрена 46 А. У імпульсному режимі струм може досягати 280 А. Потужність розсіювання становить 43 Вт, а опір у відкритому стані — 7 мОм. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі QFN3X3. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація та ідентифікація
Товар постачається набором із 40 транзисторів. Символ TME: DI072N06PT-DIO. Поляризація транзистора: уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 43 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 65 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 46 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | QFN3X3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴
