Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI060N10D1, 100В, 37А, DPAK — набір 20 шт.

1 890 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073221
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI060N10D1, 100В, 37А, DPAK — набір 20 шт.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI060N10D1, 100В, 37А, DPAK — набір 20 шт.В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI060N10D1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 37 А. Компонент виконаний у корпусі DPAK (TO252AA) для монтажу на поверхню (SMD) і постачається комплектом із 20 штук.

  • Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
  • Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
  • Постійний струм дрена: 37 А
  • Імпульсний струм дрена: 300 А
  • Розсіювана потужність: 54,3 Вт
  • Корпус: DPAK (TO252AA), монтаж SMD
  • Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 100 В та постійним струмом дрена 37 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 300 А. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а опір у стані провідності — 11 мОм. Розсіювана потужність становить 54,3 Вт, а заряд затвора — 56 нКл.

Монтаж та корпус

Компонент має корпус DPAK, також відомий як TO252AA, і призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

Товар постачається у вигляді набору, що містить 20 транзисторів DI060N10D1.

Характеристики
Основні атрибути
ВиробникDiotec Semiconductor
ТипКорпус
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусDPAK, TO252AA
Максимальна потужність розсіювання54.3 Вт
Максимально допустима напруга затвор-висток20 В
Максимально допустима напруга стік-висток100 В
Максимально допустимий струм стоку37 А
Опір у відкритому стані (Rds)11 mOm
Тип монтажаПоверхневий
Тип транзизораПольова
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 890 ₴