Транзистор P-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DI035P02PT, QFN3X3, -20В, -35А (DI035P02PT-DIO) — набір 30 шт.
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM073218
Транзистор P-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DI035P02PT, QFN3X3, -20В, -35А (DI035P02PT-DIO) — набір 30 шт.В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DI035P02PT — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Пристрій виконаний у компактному корпусі QFN3X3 для поверхневого монтажу (SMD) та постачається набором із 30 штук.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: -20 В
- Струм стоку: -35 А (постійний), -80 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 52 Вт
- Опір у відкритому стані: 9,8 мОм
- Корпус: QFN3X3, монтаж SMD
- Набір: 30 штук
Керування та монтаж
Компонент має заряд затвора 58 нКл та допустиму напругу затвор-витік ±12 В. Монтаж здійснюється методом SMD у корпусі QFN3X3.
Комплектація
Товар постачається як набір із 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 52 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | QFN3X3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴