
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI006N06PW-AQ, 65В, 6А, QFN2X2, комплект 40 шт.
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM073214
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI006N06PW-AQ — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для електронних схем. Модель виконана в компактному корпусі QFN2X2 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється комплектом із 40 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 65 В
- Струм дрена: 6 А (постійний), 80 А (імпульсний)
- Опір у стані провідності: 30 мОм
- Корпус: QFN2X2, монтаж SMD
- Комплект: 40 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 65 В та постійний струм дрена 6 А. У імпульсному режимі струм може досягати 80 А. Опір у стані провідності становить 30 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі QFN2X2 для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна розсіювана потужність становить 1,67 Вт.
Комплектація
Товар постачається у вигляді набору, що містить 40 транзисторів DIOTEC DI006N06PW-AQ. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 10 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.67 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 65 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | QFN2X2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴

