Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI006N06PW-AQ, 65В, 6А, QFN2X2, комплект 40 шт.

2 280 ₴

  • В наявності
  • Код: TM073214
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI006N06PW-AQ, 65В, 6А, QFN2X2, комплект 40 шт.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI006N06PW-AQ, 65В, 6А, QFN2X2, комплект 40 шт.В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI006N06PW-AQ — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для електронних схем. Модель виконана в компактному корпусі QFN2X2 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється комплектом із 40 штук.

  • Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга дрена-джерела: 65 В
  • Струм дрена: 6 А (постійний), 80 А (імпульсний)
  • Опір у стані провідності: 30 мОм
  • Корпус: QFN2X2, монтаж SMD
  • Комплект: 40 штук

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 65 В та постійний струм дрена 6 А. У імпульсному режимі струм може досягати 80 А. Опір у стані провідності становить 30 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі QFN2X2 для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна розсіювана потужність становить 1,67 Вт.

Комплектація

Товар постачається у вигляді набору, що містить 40 транзисторів DIOTEC DI006N06PW-AQ. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 10 нКл.

Характеристики
Основні
ВиробникDiotec Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання1.67 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік65 В
Максимально допустимий струм стоку6 А
Опір у відкритому стані (Rds)30 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті40 шт.
КорпусQFN2X2
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 280 ₴