Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DI001N65PTK, 650В, 1А, QFN3X3, 30 шт.
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM035475
Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DI001N65PTK, 650В, 1А, QFN3X3, 30 шт.В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR DI001N65PTK — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 650 В та струм 1 А. Товар поставляється комплектом із 30 штук у корпусі QFN3X3 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 1 А (у імпульсі до 4 А)
- Потужність розсіювання: 32,2 Вт
- Корпус: QFN3X3, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 650 В та номінальний струм дрена 1 А. У імпульсному режимі струм дрена може досягати 4 А. Потужність розсіювання становить 32,2 Вт, а заряд затвора — 5,8 нКл.
Компонент виконаний у корпусі QFN3X3 для поверхневого монтажу (SMD).
Комплект поставки
Упаковка містить 30 транзисторів DI001N65PTK.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 32.2 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | QFN3X3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴