Діод Шотткі IXYS DCG10P1200HR, SiC, 1200 В, 12,5 А, корпус ISO247

Діод Шотткі IXYS DCG10P1200HR — це напівпровідниковий компонент технології SiC у корпусі ISO247™. Компонент характеризується ультрашвидким перемиканням.

• Технологія SiC для ультрашвидкого перемикання
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Струм провідності 12,5 А
• Імпульсний струм до 750 А
• Корпус ISO247™ для монтажу в отвори (THT)

Висока напруга та струм

Діод працює з максимальною зворотною напругою 1,2 кВ та струмом провідності 12,5 А. Компонент має максимальну зворотну напругу 1,2 кВ.

Технологія SiC та швидкість

Використання карбіду кремнію (SiC) забезпечує ультрашвидке перемикання. Використання карбіду кремнію (SiC) забезпечує ультрашвидке перемикання.

Низький опір та імпульсна стійкість

Максимальна напруга провідності становить 2,2 В. Діод витримує імпульсний струм до 750 А.

Конструкція та монтаж

Компонент має подвійну послідовну структуру напівпровідника та призначений для монтажу в отвори (THT). Корпус ISO247™.